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硅光子技术是基于硅和硅基衬底材料(如SiGe/Si、SOI等)，利用现有CMOS工艺进行光器件开发和集成的新一代技术。其核心理念是“以光代电”，即采用激光束代替电子信号传输数据，将光学器件与电子元件整合至一个独立的微芯片中。硅光具有低功耗、高集成和高速率的特点，是后摩尔时代的关键技术选择。当前虽然硅光方案的模块无法完全取代传统方案，但供应份额势必大幅提升，相应市场规模可期，且给了新进入者一定的弯道超车机会。

数通短距硅光模块取得局部商业成功

目前硅光的应用领域包括：

1）数通短距模块；

2）相干传输模块；

3）光电合封（CPO）数通短距领域，硅光技术的应用开启降本提效的新路径

随着客户对可插拔模块的传输速率、成本、体积、功耗核心痛点的要求持续提升，新的封装形式开始兴起。如，采用硅光工艺的 100G PSM4 和 CWDM4 模块，相较传统分立器件封装，硅光集成封装凭借更低的BOM 成本，取得一定程度的商业应用。尽管硅光模块未得到所有下游厂商的认可，但硅光技术的应用开启光互联降本提效的新路径。

目前，硅光产品最主要的应用依然是数据中心，100G数通硅光光模块方案已经成熟进入稳步出货阶段，400G开始从2020年的小批量进入到2021年的大批量，硅光模块弹性可期。

怎么看数通短距400G 硅光模块渗透率？业内对硅光数通模块的期待主要来自成本和功耗两个方面。

1）成本：实现并行多路的共享光源架构，节省器件成本；硅材料比III-V族化合物半导体材料便宜；有望发挥CMOS工艺规模优势。

2）功耗：硅材料阻抗低，驱动电压低，其功耗也较低。

3）集成度，相较于传统分立器件封装，相同光通道数，体积更小。

以纳多德（NADDOD）400G DR4 硅光模块为例，硅光封装可共享一个光源，且不需要 EA 调制，相较传统方案4片 EML 芯片的架构能有效降低光模块的 BOM 成本；更高的器件集成度也意味着封装良率能实现更快的爬坡。

未来 2-3 年 400G 硅光渗透率或难超 100G 同期，其中核心原因在于升级路径分化的背景下，主要应用场景 400G DR4 的量或小于100G同期的 CWDM4+PSM4。

数通升级节奏呈现分化，可插拔来日方长

数通 400G 升级路径呈现“高中低”分化，200G 方案或崛起：从应用来看，高性能运算、AI、机器学习等超大带宽应用还在爆发前夜。由于不同的互联网客户对 IT 负载的需求和带宽升级的迫切性不同，从数通 100G 升级到 400G 分化为（高配、中配、低配） 3 条路径：

1）高配：服务器端口速率升到 50G、TOR 和脊叶交换机升级到 400G；

2）中配：先将脊叶交换机升级到 400G，用 Breakout 方案连接 100G TOR，服务器和 TOR 保持不变；

3）低配：先升级到 200G 作为过渡，再升级到 400G 或 800G。

整体升级节奏较 100G 时期有较明显的放缓，200G 方案或崛起替代部分 400G 需求。

升级节奏分化使得拉长模块产品生命周期，模块厂商应对变革窗口期更长：过往数通升级节奏较快，而进入 400G+时代后升级节奏或有分化，或带来更多存量模块的替换需求（数通光模块的产品寿命约为 3-5 年），并拉长可插拔模块的整体产品生命周期，给传统模块厂商更多时间和资本去应对CPO 等大的行业技术大变革。

总体来看，硅光市场刚起步，未来市场格局变数巨大，新进入者存在一定的机会，硅光行业整体具有广阔的发展空间。随着5G进入大规模建设阶段，传输网扩容新建投入不断提升，高速光模块市场空间将打开。